多通道電化學(xué)工作站憑借“實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)、多點(diǎn)位同步分析、高靈敏度”特性，成為半導(dǎo)體晶圓制造中金屬離子殘留（如Cu、Fe、Ni、Cr等，允許殘留量常＜10ppb）在線檢測(cè)的核心設(shè)備。其通過(guò)電化學(xué)方法將晶圓表面微量金屬離子的化學(xué)信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，結(jié)合多通道并行檢測(cè)能力，實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓不同區(qū)域殘留的快速定量，為晶圓清洗工藝優(yōu)化與質(zhì)量管控提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。

　　一、核心檢測(cè)原理：適配微量金屬離子捕捉

　　基于“溶出伏安法”或“差分脈沖伏安法”，針對(duì)晶圓表面金屬離子特性設(shè)計(jì)檢測(cè)邏輯：

　　離子富集與溶出：首先將晶圓作為工作電極，在特定電位下（如-1.2V vs參比電極）施加還原電位，使晶圓表面吸附的金屬離子（如Cu²?、Fe³?）還原為金屬單質(zhì)并沉積在電極表面（富集過(guò)程）；隨后線性掃描電位（如從-1.2V升至0.8V），沉積的金屬單質(zhì)重新氧化為離子并產(chǎn)生氧化電流，不同金屬離子因氧化電位不同，會(huì)在特定電位處形成特征電流峰，峰電流強(qiáng)度與金屬離子濃度呈線性關(guān)系（符合能斯特方程），據(jù)此可定量殘留量。

　　高靈敏度保障：通過(guò)優(yōu)化電解質(zhì)體系（如采用超純硝酸溶液作為支持電解質(zhì)，降低背景干擾）與電位掃描參數(shù)（如減小掃描速率、增加富集時(shí)間），檢測(cè)限可低至0.1ppb，滿足晶圓對(duì)金屬離子殘留的嚴(yán)苛檢測(cè)要求，避免因微量殘留導(dǎo)致的晶圓漏電、器件失效等問(wèn)題。
 

　　二、多通道技術(shù)優(yōu)勢(shì)：適配晶圓多區(qū)域同步檢測(cè)

　　并行檢測(cè)提升效率：設(shè)備集成多個(gè)獨(dú)立電化學(xué)檢測(cè)通道（通常4-16通道），可同時(shí)對(duì)接晶圓的不同檢測(cè)點(diǎn)位（如晶圓中心、邊緣、不同芯片單元區(qū)域），單次檢測(cè)即可獲取全晶圓表面金屬離子殘留的分布圖譜，較單通道檢測(cè)效率提升4-16倍，適配晶圓制造的高速生產(chǎn)線節(jié)奏（通常每小時(shí)需檢測(cè)數(shù)十片晶圓）。

　　一致性與差異性分析：多通道采用統(tǒng)一參比電極與輔助電極，確保各通道檢測(cè)條件一致，可精準(zhǔn)對(duì)比不同區(qū)域的殘留差異（如晶圓邊緣因清洗不充分，殘留量可能比中心高2-3倍）；同時(shí)能同步監(jiān)測(cè)同一區(qū)域在不同清洗步驟后的殘留變化（如清洗前、清洗后、烘干后），直觀評(píng)估清洗工藝效果，避免單通道分次檢測(cè)導(dǎo)致的誤差。

　　三、在線檢測(cè)流程：貼合晶圓制造場(chǎng)景

　　原位采樣與檢測(cè)：檢測(cè)模塊直接集成在晶圓清洗工序后，無(wú)需將晶圓轉(zhuǎn)移至離線實(shí)驗(yàn)室，通過(guò)機(jī)械臂將晶圓送至檢測(cè)工位，多通道電化學(xué)工作站自動(dòng)貼合電極系統(tǒng)（工作電極接觸晶圓表面，參比/輔助電極置于電解質(zhì)池中），實(shí)現(xiàn)“清洗-檢測(cè)”無(wú)縫銜接，減少外界污染風(fēng)險(xiǎn)（如空氣中金屬離子沉降）。

　　數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)處理與反饋：檢測(cè)完成后，系統(tǒng)自動(dòng)擬合峰電流與濃度標(biāo)準(zhǔn)曲線，輸出各通道金屬離子殘留量（如Cu²?：2.3ppb、Fe³?：1.8ppb），并生成殘留分布熱力圖；若某通道殘留量超閾值（如＞10ppb），即時(shí)觸發(fā)報(bào)警，通知控制系統(tǒng)調(diào)整清洗參數(shù)（如延長(zhǎng)清洗時(shí)間、提高清洗劑濃度），實(shí)現(xiàn)閉環(huán)質(zhì)量管控。

　　多通道電化學(xué)工作站通過(guò)實(shí)時(shí)性、多點(diǎn)位、高靈敏度的在線檢測(cè)，解決了晶圓表面金屬離子殘留“離線檢測(cè)滯后、單點(diǎn)位代表性差”的痛點(diǎn)，為半導(dǎo)體制造中晶圓質(zhì)量的精準(zhǔn)把控提供了可靠技術(shù)手段，助力提升芯片良率與器件性能穩(wěn)定性。